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【IGBT研发工程师】


职位描述:

1.进行MOSFET, IGBT, FRD等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定;
2.器件封装,测试,特性及失效分析;
3.工艺和设计方案优化,提高产品性能及良率;
4.从产品定义到开发计划的制定与实施以至定型量产的项目管理;
岗位要求:
1.功率半导体相关工作经验2年(含)以上,熟悉MOSFET,IGBT, FRD等功率半导体的产品开发流程;
2.具有Wafer Fab实际经验和MOSFET,IGBT, FRD等功率半导体产品的实际开发/生产经验;
3.熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)
4.具有项目管理能力,主动沟通能力及团队协作能力;

相关待遇:

1) 公司提供系统的岗前培训(包括行业、产品知识,技术技能等);
2) 交五险一金(养老、医疗、失业、生育、工伤和住房公积金);
3) 提供法定节假日、年假、婚假、生育假、有薪病假等;
4) 公司有完善的考核体系和晋升机制;
5) 其他的福利制度,如生日券,节日福利,员工慰问金,员工年度体检,一年一次旅游。
6)成为核心员工,获得公司股权激励。