上海陆芯电子科技有限公司举办功率半导体专题讲座
来源:陆芯科技 | 作者:陆芯科技 | 发布时间: 2018-09-29 | 1342 次浏览 | 分享到:


20189281400-1700,上海陆芯电子科技有限公司在张江高科传奇广场空间举办了一期功率半导体讲座。董事长兼总经理张杰主持了此次专题讲座。


 

讲座由英飞凌(Infineon)资深首席工程师高光渤博士主讲。高光渤博士本科毕业于清华大学,并于日本Hosel大学获博士学位,是英飞凌(Infineon)技术公司器件物理和产品失效分析领域首席资深工程师。高光渤博士多年来致力于半导体器件可靠性物理、失效机制研究,包括CMOSICsSi/SiGeHBTsLEDs,功率ICs,功率VDMOSIGBTsSiCMOSFETsGaNHEMTs等。


讲座从第一代硅器件开始,介绍CPUCMOS电路大规模集成电路的发展,第二代GaAs器件、微波集成电路以及在通讯雷达领域的应用,以及第三代宽带半导体、诸如GaNSiC的发展现状和远景。对于每一代半导体器件的基本物理图像、工艺关键以及可靠性问题做了重点评述。


讲座系统地总结了107年半导体的发展过程,尤其是近50年来半导体集成电路的飞跃发展以及对于计算机、通讯、信息领域的促进作用。大家对高光渤博士的精彩演讲表示浓厚兴趣,课间高博士针对观众的提问进行了专业解答,课后还进行了小范围专题探讨。


此次讲座由上海陆芯电子科技有限公司主办,张江高科空间协办。半导体行业、投资界等诸多业界专家朋友近80余人参加了此次专题讲座。